金融界2024年1月9日消息,据国家知识产权局公告,清华大学申请一项名为“高阻断电压的压接型半导体器件“,公开号CN117374012A,申请日期为2023年9月。
专利摘要显示,本申请提供一种高阻断电压的压接型半导体器件,可用于电力半导体器件技术领域。所述高阻断电压的压接型半导体器件包括:包括芯片、设置在所述芯片阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片阴极侧的阴极金属管壳;其中,所述阳极金属管壳远离所述芯片的外压接面向内凹陷;和/或所述阴极金属管壳远离所述芯片的外压接面向内凹陷。本申请实施例提供的高阻断电压的压接型半导体器件,通过将压接型半导体器件原有封装结构中金属管壳的一部分设计为凹陷面,有助于提高器件阻断电压,减小器件的体积,且能够大幅降低器件的接触热阻。
来源:金融界