根据“桐庐经济开发区管委会”报道,3月31日,在浙江省桐庐经济开发区招商引资项目签约仪式上,“激光切割设备及年产100万片SiC衬底生产项目”“激光焊接设备及新能源水冷板焊接研发生产项目”正式签约落户桐庐经开区。
source:桐庐经济开发区管委会
据了解,以SiC为代表的化合物半导体在新能源车用功率器件方面展现出了优秀的应用性能。而SiC晶圆的制作需要进行的步骤有:合成碳化硅微粉,晶体生长,晶锭加工,晶体切割,晶片研磨,晶片抛光,晶片检测,晶片清洗。
切片是SiC由晶锭转化为晶片的第一道工序,决定了后道加工的整体良率,因此需要稳定性、可靠性高的高精密切割设备。由于SiC的硬度大,加上容易脆裂的属性,对其进行切割一直以来都是晶圆加工难题。
激光切割技术具有高效率、高精度、无损伤等优点,在业界广受欢迎。本次签约的“激光切割设备及年产100万片SiC衬底生产项目”正对这一技术的研发及应用。
据悉,该项目由浙江正达半导体有限公司(以下简称:正达半导体)投资。项目将建成国内首条激光剥片全自动生产线。项目总投资12亿元,2025年-2029年五年内累计产值不低于22亿元。
正达半导体是一家从事激光切割设备研发制造及SiC晶锭全自动激光剥片及磨抛的高新技术公司,专注于激光领域在各种材料上的应用研究。
文:集邦化合物半导体 Winter整理