金融界2025年5月14日消息,国家知识产权局信息显示,重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种栅极介电层、半导体结构的形成方法及结构”的专利,公开号CN119997583A,申请日期为2025年1月。
专利摘要显示,本发明提供一种栅极介电层、半导体结构的形成方法及结构,栅极介电层的形成包括:提供衬底,衬底包括高压器件区和低压器件区,衬底上形成有隔离结构和第一介电层;通过刻蚀工艺去除位于低压器件区的第一介电层以及高压器件区的非栅极区的第一介电层;在衬底表面形成第二介电层;分别在衬底上的高压器件区和低压器件区形成栅极结构和对应的栅极介电层。本技术方案首先通过光刻和刻蚀保留了位于高压器件区的栅极下的第一介电层作为高压栅介电层,再通过形成厚度较薄的第二介电层后用于制备低压栅介电层,由此可以避免现有技术的栅极刻蚀过程中去除多余介电层时易产生的底切或者因栅极介电层残留引发后续侧墙无法完全包裹栅极的隐患。
天眼查资料显示,重庆芯联微电子有限公司,成立于2023年,位于重庆市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析,重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目694次,专利信息105条,此外企业还拥有行政许可12个。
来源:金融界