东微半导（688261.SZ）近日发布2024年年报，期内实现营业收入10.03亿元，同比增长3.12%；归母净利润4023.5万元，同比下滑71.27%；扣非后归母净利润231.93万元，同比减少98.06%。

2024年，功率半导体市场竞争白热化，东微半导试图以价换量，尽管营收实现微弱增长，但毛利率跌至近7年低点，盈利在低基数上再降7成，现金流承压、库存高企问题凸显。

与此同时，作为“充电桩芯片第一股”，曾为其带来业绩高光的光伏逆变器、充电桩业务在周期波动中同时失速，第三代半导体业务尚未挑起大梁，公司优势产品正面临来自碳化硅厂商激烈的份额争夺。在这种行业变局中，东微半导迎来前所未有的挑战和考验。

以价换量毛利“贴地”

东微半导是一家功率半导体厂商，主要产品包括高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET产品、TGBT产品，以及SiC MOSFET等，应用于新能源、工业、消费领域。其中，高压超级结MOSFET技术难度较高，定位国产替代高端市场，是营收主力。

近一年，“缺芯潮”催生的产能集中释放，叠加下游需求增长不足，功率半导体领域内卷加剧，其典型信号是，掀起价格战的英飞凌、安森美、意法半导体等国际巨头陆续传出裁员计划。

2024年，通过产品降价，东微半导核心产品高压超级结MOSFET收入基本维持稳定，达7.83亿元，占总营收比重78%，公司毛利率下探至近7年低点14.29%，说明产品价格已是“贴地飞行”。

来源：东微半导年报

在回复投资者提问时，对于此轮降价，虽然东微半导明确意在“增加市场份额”，但显然，中低端产品销售强势拉升，低压屏蔽栅MOSFET营收增长40%，而在国际厂商高度垄断的中高端市场，其作用更倾向于守份额。

分产品来看，公司高端产品线高压超级结MOSFET、超级硅MOSFET、SiC器件产品、Tri-gate IGBT产品营收分别为7.8亿元（下滑2.8%）、238.5万元（下滑72.28%）、63.65万元（下滑9.65%）、3714.8万元，仅Tri-gate IGBT同比增长24.3%。

以价换量的销售策略未能有效缓解公司的库存压力，截至2024年末，东微半导存货金额处于3.87亿元的高位，存货周转天数从123.41天延长至146.74天，计提存货跌价损失仍在走高，当期2209.57万元，成为侵蚀利润的一大因素。

现金流上进一步承压，2024年，公司经营活动产生的现金流量净额-8831万元，同比下滑225%。公司表示，主要是受全球经济增速下行以及竞争格局加剧等多重因素的影响，收到客户的销售回款有所减少。

发布年报当日，公司同时公告使用部分超募资金3亿元用于永久补充流动资金。

充电桩、光伏齐失速，高端市场承压

一定程度上，东微半导此前的业绩高光缘于同时吃上光伏逆变器和新能源汽车直流充电桩这两大高景气赛道的红利，2022年上市时，东微半导曾被称为“充电桩芯片第一股”。眼下，受困于周期波动，这两大市场属性正在褪色。

2024年，公司来自光伏逆变器领域的收入进一步下滑，以至于公司近年首次未将其列入主要细分领域收入范围，2022-2023年，光伏逆变器领域营收比重一度分别达到20%、13%。

新能源汽车直流充电桩领域收入占营收比重从2023年的17%下滑至6%，收入下滑幅度高达63%。

笔者从东微半导相关人士处了解到，新能源汽车直流充电桩领域收入的大幅下滑缘于公司管理层主动调整销售策略，其表示，在资源有限的情况下，2024年公司将精力转移至毛利率较高的工业照明电源领域。

2024年，大功率照明电源营收首次出现在前四大细分领域收入之列，占主营业务营收比重8%，同比增长30%，工业和通信电源领域收入大增78%，营收比重从18%飙升至31%，对冲了光伏逆变器和充电桩领域收入的显著下滑。

在国内功率半导体市场，东微半导的定位是做“难做的产品”，目前，第三代半导体领域是公司发力的重点，代表性产品之一是碳化硅（SiC）功率器件，被视为公司新成长曲线。

由于具备高频、高压、低损耗的优势，碳化硅（SiC）在新能源汽车、光伏等领域更具优势。但因为成本相对较高等因素，功率半导体市场仍以硅基MOSFET等产品为主。

这一境况在2024年发生转变，去年，碳化硅SiC衬底厂商6英寸衬底产能大爆发，价格战激化，单片价格一度低于成本价，推动碳化硅（SiC）MOSFET芯片价格下降，加速对硅基IGBT和超级结MOSFET的替代。

头部厂商正在分羹红利，2024年财年，英飞凌在碳化硅市场实现6.5亿欧元营收，同比增长30%，并表示有信心在2025财年实现碳化硅超10亿欧元的目标。此外，由于看好碳化硅市场，继英飞凌2024年8月启动其在马来西亚的全球最大碳化硅功率半导体晶圆厂后，富士电机也在2024年末重启6英寸碳化硅（SiC）功率半导体的量产，该计划此前一度搁置。

龙头加码碳化硅市场，东微半导的销售策略却偏于被动，公司第三代功率半导体碳化硅（SiC） MOSFET产品已实现量产，但在碳化硅市场加速替代的2024年，该部分产品营收规模仅63.65万元，同比减少9.65%。笔者以投资者身份了解到，碳化硅产品销量未见起色，主要原因在于公司对产品毛利率更多考量。

需要注意的是，高压场景例如新能源汽车800V高压平台和光伏逆变器领域是加速替代硅基器件的主要领域，也是东微半导优势产品高压超级结MOSFET主攻的市场方向，碳化硅厂商在高端市场进一步的份额争夺，或许是东微半导充电桩、光伏逆变器领域收入在2024年快速下跌的另一重背景。

值得一提的是，2024年，华为旗下哈勃科技创业投资有限公司（以下简称“哈勃创投”）继续减持，截至2024年末，其对东微半导的持股比例降低至1.95%，去年同期持股比例为4.94%。（本文首发于钛媒体APP，作者｜张孙明烁）