金融界2024年1月19日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“,公开号CN117425346A,申请日期为2023年5月。
专利摘要显示,一种半导体器件,包括:外围电路结构,包括衬底上的外围电路和电连接到外围电路的第一接合焊盘;以及单元阵列结构,包括半导体层上的存储单元、以及电连接到存储单元并接合到第一接合焊盘的第二接合焊盘。单元阵列结构还包括:堆叠结构,包括绝缘层和电极;半导体层的表面上的外部连接焊盘;虚设图案,相对于衬底位于与半导体层相同的水平处;以及在半导体层和虚设图案上的光敏绝缘层。光敏绝缘层的与外部连接焊盘竖直重叠的部分的第一厚度大于光敏绝缘层的与虚设图案竖直重叠的另一部分的第二厚度。
来源:金融界
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