金融界2024年1月15日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体结构“,授权公告号CN220341210U,申请日期为2023年5月。
专利摘要显示,本实用新型的一些实施例提供改进可靠性的半导体结构。根据本公开的示范性半导体结构包含:半导体衬底,其包含第一区及围绕所述第一区的第二区;III‑V族半导体层,其直接放置于所述第一区上方;化合物半导体装置,其形成于所述III‑V族半导体层中及上方;第一多个导电构件,其放置于所述化合物半导体装置的源极接点上方并电耦合到所述源极接点;及密封环,其直接放置于所述第二区上方并包括第二多个导电构件,所述第一多个导电构件的最上导电构件的顶表面高于所述第二多个导电构件的最上导电构件的顶表面。
来源:金融界