SK海力士将升级中国半导体工厂：采用第四代10纳米工艺
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2024-01-16 21:01:05
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2024-01-15 12:20:28 作者：姚立伟
据传，韩国芯片制造商SK海力士正在考虑打破美国对中国使用极紫外（EUV）光刻机的限制，以提高其在中国半导体工厂的技术水平。这一举动被认为是在中国高性能半导体制造能力日益提升的背景下，一些韩国芯片企业采取一切可能的方法来改善其在华工厂的制造工艺。
业内人士透露，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分DRAM生产设备升级至第四代10纳米工艺。然而，对于“无锡工厂将进行技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。
据了解，无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，该工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM产品。值得注意的是，在过去几年里，由于美国为阻止中国半导体产业崛起而单方面限制了对EUV光刻机的出口，因此SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易。
尽管如此，随着全球半导体市场进入复苏阶段，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经迫在眉睫。为了维持其市场份额，他们需要第四代或更高级别的10纳米DRAM等产品。
媒体分析称，SK海力士的这一举动反映了全球半导体市场的变化和中国半导体产业的快速发展。在全球半导体市场复苏的背景下，中国半导体产业的提升无疑将为全球半导体产业的发展注入新的活力。
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