在近期举办的IEEE国际电子元件会议(IEDM)小组研讨会上,台积电透露其1.4纳米制程技术的全面展开。这一新技术将被正式命名为A14,预计将在2027~2028年之间投入量产。
根据外媒报道,A14制程技术的具体参数和量产时间并未在会议上披露,但考虑到2纳米制程技术计划于2025年开始量产,N2P制程技术计划于2026年底量产,A14制程技术的预计推出时间较为合理,定在2027~2028年。
就技术方面而言,A14制程技术很可能不会采用垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)技术,而是依赖于台积电的第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)技术,与N2制程技术类似。然而,为了真正发挥其性能,并在性能和功耗水平上实现新突破,A14和N2制程技术都需要进行系统级优化。
此外,关于A14制程技术是否采用High-NA EUV光刻技术,目前还没有明确的信息。考虑到英特尔计划采用High-NA EUV曝光技术,台积电若使用这些机器将更为容易。然而,High-NA EUV曝光技术的尺寸减半可能会带来新的挑战和需求,对芯片设计人员和制造商提出更高的要求。
需要注意的是,尽管A14制程技术的具体细节仍有待公开,但台积电的工程师和开发人员已经全力致力于下一代制程节点的研发。随着技术的不断进步,这一新的1.4纳米制程A14的推出将为半导体行业带来新的可能性,也将是台积电在技术创新方面的重要一步。
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