三星第三代GAA晶体管技术来了漏电降低约50%_资讯

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2024-05-01 19:19:23

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2024-05-01 17:41:35 作者：姚立伟

三星即将在“VLSI Symposium 2024”上展示其第三代GAA（Gate-All-Around）晶体管技术特性。这项新技术优化了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，并引入了独特的外延和集成工艺。

三星表示，与现有的FinFET技术相比，新工艺显著提升了晶体管性能，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。预计2nm技术的开发工作将在2024年第二季度完成，三星的芯片合作伙伴将有机会选择这一先进的制程节点进行产品设计。

为了加强2nm工艺生态系统的建设，三星已经吸引了超过50个合作伙伴。此外，今年2月，三星宣布与Arm合作，共同优化基于最新GAA晶体管技术的下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，以进一步提升性能和效率。

不仅如此，三星还计划推出第三代3nm工艺，旨在继续提高芯片密度、降低功耗，并努力提升良品率。此前，在良品率方面遭遇挑战时，传闻三星的初代3nm工艺的良品率仅为20%，主要用于生产加密货币相关芯片。然而，三星并未因此气馁，而是持续投入研发，力求在未来的工艺中取得更好的表现。

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