新路线出现：EUV光刻机后，是BEUV技术，我们赶紧冲！
众所周知，过去几十年以来，芯片制造工艺，主要是光刻工艺。利用光线，将芯片电路图，投影到硅晶圆片上，中间最核心的设备，就是光刻机。
同时光刻技术，就直接定义了芯片工艺，直接决定芯片的制程水平和性能水平。
而光刻机这种设备，集成了物理学、光学、精密仪器、高分子物理与化学、数学、材料、自动控制、流体力学、高精度环境控制、软件等40多个学科。
所以目前全球能够制造光刻机的厂商，经大浪淘沙之后，就只有四家，分别是ASML、尼康、佳能、上海微电子。其中ASML处于垄断地位，占了90%的份额。
而光刻机的发展，主要从三个方面，第一是光线的波长，波长越短，技术越先进，所以早期是435nm（G-线）、365nm（I-线），后面发展到248nm（深紫外，DUV）、193nm（ArF，干式和水浸没式），以及现在的13.5nm（极紫外，EUV）。
而确定了光源之后，第二个方面，则是增大投影光刻物镜的数值孔径NA，因为NA越大，通过透镜的光线越多，能量越高，越能有效的控制，分辨率也就越高。
第三个方面，则是减小光刻工艺因子，这个算是系统的一种工艺参数，和光源、系统有很大关系。
目前最先进的EUV光刻机，光源是13.5nm波长，而NA达到了0.55，要再提升非常难，就算能提升，成本也会非常高。
同时工艺因子达到了0.25，也是理论上的极限，要突破更难，所以EUV光刻机，要再提升，很困难了。
所以这也是为何之前ASML称，EUV光刻机或难以再提升了，原因就在此，因为NA、光刻工艺因子，都达到极限了。
所以接下来，要想让光刻机前进，其实还是在光源的波长上，但大家都清楚，一旦波长变化，那么光刻机就换代了。
之前从G线到I线，到KrF，到ArF，再到EUV，第一代的升级，其实就是光源的升级，然后不同的光源升级后，带动NA变化，光刻工艺因子变化。
那么13.5nm之后，波长能变到多少呢？科学家们，提出了一种新的方案，叫做BEUV技术。
这个技术，是采用6.X nm的光源，它比EUV上采用的13.5nm波长更短，这样分辨率更高，同时还有焦深DoF，能够带来更大的工艺容忍度。
采用6.Xnm波长后，NA的数值、光刻工艺因子，也可以重新升级，然后实现新一轮的变化。
按照科学家们的预测，到2035年后，EUV光刻机应该会被BEUV光刻机替代掉，因为到时候的芯片工艺将低于1nm，只有BEUV光刻机，才能胜任了。
过去，我们在光刻机技术上一直落后于全球领先水平，那么当BEUV技术来临时，我们能不能赶紧提前布局，别让其它企业抢先捆绑住供应链，这样我们追上全球水平，让光刻机再也卡不住我们的脖子呢，就只有拭目以待了。