金融界2024年2月8日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“晶体管结构及其制造方法“,授权公告号CN110957358B,申请日期为2019年9月。
专利摘要显示,本发明实施例涉及一种晶体管结构制造方法,包括:在衬底上形成鳍;在鳍上形成栅极介电堆叠件,栅极介电堆叠件包括设置在界面介电层上的高k介电层;将高k介电层浸在氟基气体中;以及在高k介电层上沉积覆盖层。一种晶体管结构,包括:衬底;鳍,位于衬底上;栅极介电堆叠件,位于鳍上,栅极介电堆叠件包括:界面介电层;及高k介电层,位于界面介电层上,高k介电层的氟浓度介于约0.01原子%和约35原子%间;以及一个或多个功函层,位于栅极介电堆叠件上。从而改善晶体管性能。
来源:金融界