美光推出2600 QLC固态硬盘，实现TLC级写入性能
美光新推出的2600客户端QLC固态硬盘通过动态优化缓存技术，使QLC闪存实现了与TLC相当的写入性能。
NAND闪存根据单元位数有四种基本格式：SLC（1位）、MLC（2位）、TLC（3位）和QLC（4位）。更高的单元位数可降低成本，但会影响写入性能和耐久性。2600系列的自适应写入技术（AWT）通过建立两级缓存架构来提供TLC级别的写入性能：顶层SLC缓存用于处理新的写入数据，第二层TLC缓存在SLC缓存满载时启用。当SLC和TLC模式区域都满载时，AWT会在固态硬盘空闲时（即使是短暂空闲）将数据迁移到QLC模式。随着这一过程的持续进行，AWT不断将数据从SLC和TLC模式缓存迁移，并整合到QLC模式中。AWT还能动态调整SLC和TLC区域大小，确保广告容量的可用性。美光声称，与竞争对手的主流QLC和TLC固态硬盘相比，该技术实现了高达63%的顺序写入速度提升和49%的随机写入速度提升。
美光移动与客户业务部门执行副总裁兼总经理马克·蒙蒂尔斯表示："美光2600 QLC固态硬盘的性能超越了竞争对手的主流TLC产品...这一美光创新里程碑为QLC NAND的更广泛商业应用铺平了道路。"
2600系列是一款无DRAM固态硬盘，搭载群联PS5029-E29T四通道控制器。它采用美光276层（G9）3D NAND制造的2Tb芯片，具有六平面架构和NVMe PCIe Gen 4×4接口。美光表示，该产品提供"目前客户端固态硬盘中最快的NAND I/O速率"，在向2TB固态硬盘连续写入高达800GB数据时，"顺序写入速度提升达四倍"。美光声称，与其他无DRAM TLC和QLC固态硬盘相比，该产品具有更优的顺序和随机性能，在速度方面"轻松超越竞争对手的QLC和主流TLC固态硬盘"。
该产品提供512GB、1TB和2TB三种容量选择，随机和顺序性能以及耐久性指标都随容量增加而提升。
美光曾在2024年4月推出早期的QLC硬盘2500系列，具有相同的容量配置，但采用较早的232层3D NAND技术。在2TB级别上，其随机读写IOPS均为100万次，顺序带宽为读取7.1GBps、写入6GBps。2600系列的100万次随机读取IOPS、110万次随机写入IOPS、7.2GBps顺序读取和6.5GBps顺序写入性能相比之下提升并不显著，例如顺序写入速度仅提升7.7%。看起来AWT为2600系列相比2500系列带来的性能提升较为有限。2500和2600系列的SLC缓存大小尚未公开，较小的SLC缓存可能会对写入性能产生负面影响。
不过，耐久性方面的改进更为明显，2500系列2TB版本的600TB写入耐久性被2600系列2TB版本的700TB写入耐久性超越，提升幅度达17%。
美光AWT技术简报详细解释了AWT的工作原理，以及SLC、TLC和QLC区域边界如何在AWT处理过程中动态调整。
搭载AWT技术的2600系列目前正在美光OEM客户处进行认证，并非所有基于2600的固态硬盘都会使用AWT技术——美光也提供不含AWT技术的2600版本。