华为公司申请发光芯片专利，增加发光芯片的峰值发光效率
创始人
2024-02-08 02:26:06
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金融界2024年2月6日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“一种发光芯片及其制备方法、发光模组、电子设备“，公开号CN117525225A，申请日期为2022年7月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种发光芯片及其制备方法、发光模组、电子设备，解决了发光芯片的峰值发光效率随尺寸的减小而减小的问题。该发光芯片包括发光层、电子隧穿势垒层‑第一量子阱层‑第一势垒层结构、空穴隧穿势垒层‑第二量子阱层‑第二势垒层结构。靠近电子输入层的第一量子阱层中聚集电子，靠近空穴输入层的第二量子阱层聚集空穴。电子隧穿势垒层‑第一量子阱层‑第一势垒层结构会使电子更多的进入发光层中，空穴隧穿势垒层‑第二量子阱层‑第二势垒层结构会使空穴更多的进入发光层中，这样，电子和空穴会在发光层中充分的复合，从而避免量子阱结构中载流子扩散到边缘，进而增加发光芯片的峰值发光效率，降低发光芯片峰值效率处工作电流密度。
来源：金融界
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