受益于新能源汽车等应用推动，近年我国碳化硅市场需求持续上升，国内厂商碳化硅技术突破捷报频传。近期，又有两家公司传出新进展：晶驰机电成功开发出电阻法12寸碳化硅晶体生长设备，实现碳化硅晶体生长技术新突破；臻晶半导体自主研发液相法碳化硅电阻炉技术，突破行业瓶颈。

01 晶驰机电成功开发出电阻法12寸碳化硅晶体生长设备

3月24日晶驰机电官微消息，今年3月晶驰机电自主研发的“电阻法碳化硅单晶生长设备”通过创新热场方案完成十二寸多晶生长验证，为第三代半导体材料低成本扩径量产提供了全新解决方案。

晶驰机电描述，晶锭形态完美，表面微凸度精准控制在2.4mm以内，成功突破同一炉台多尺寸生长技术壁垒，实现了同一台设备既可稳定量产八寸碳化硅单晶，又完全具备生长十二寸碳化硅单晶的能力。

source：晶驰机电

晶驰机电是浙江大学杭州科创中心的孵化企业，产品主要覆盖第三代、第四代半导体材料装备碳化硅晶体生长设备（PVT法）、金刚石生长设备（MPCVD法）、氧化镓单晶生长炉、碳化硅源粉合成炉等。

除了国内市场之外，今年晶驰机电海外订单也取得了喜人进展。今年1月，该公司自主研发、设计并生产的“全自动碳化硅腐蚀清洗设备”成功交付海外标杆客户。

设备采用双工位设计，集SiC晶片热强碱腐蚀、快速清洗，再次超声清洗和晶片烘干为一体。全封闭式工作台和强排风系统充分避免了操作人员与腐蚀性强碱溶剂的接触，也有效防止了腐蚀性碱蒸汽对操作人员的身体伤害。整个工艺流程全部自动化控制，操作人员只需完成取放片操作，腐蚀效率高，适合产业化应用。

该设备的交付，不仅标志着该公司向海外市场迈出重要一步，也为晶驰机电后续碳化硅材料制备相关系列装备的海外销售提供了强有力的支持。

02 臻晶半导体自主研发液相法碳化硅电阻炉技术

近期，臻晶半导体推出自主研发的液相法碳化硅电阻炉技术，为碳化硅晶体生长提供了全新的解决方案。

该单晶炉具有6 - 8英寸大直径设计，能够满足不同尺寸晶体生长的需求。同时，它还具备多点温度实时精确监控功能，从而实现对温场空间的实时稳定调控。臻晶半导体的多元活性助溶技术，通过使用优化助熔剂配方，增加了高温区碳源的供应，从而提高了溶碳量。这一技术的应用，不仅提升了晶体生长的速率，还有效提高了晶体的良率。

臻晶半导体介绍，液相法SiC长时间稳定长晶工艺，是其产品差异化的核心竞争力之一。该工艺通过精确控制生长参数，实现了碳化硅晶体的可控生长。这种可控性不仅体现在晶体生长的速度和质量上，还体现在晶体的尺寸和形状上。通过这一工艺，常州臻晶半导体能够生产出高品质、大尺寸、形状规则的碳化硅晶体，满足了市场对于高性能碳化硅材料的需求。

展望未来，臻晶半导体指出，从技术角度来看，液相法生长碳化硅具有诸多优势，如较低的生长温度、容易实现扩径、长晶厚度不受限制、晶体缺陷密度低等。这些优势使得液相法碳化硅电阻炉在满足高质量要求、降低能耗和成本等方面具有巨大的潜力。

从市场角度来看，随着新能源汽车、数据中心、AR应用和光储充等新兴产业的快速发展，对高性能碳化硅材料的需求不断增加。液相法碳化硅电阻炉能够生长出高质量的碳化硅单晶，满足这些新兴产业对材料的严格要求，因此在市场中具有广阔的应用空间。

（文/集邦化合物半导体 奉颖娴 整理）