三星开发新一代V9 QLC闪存：今年推出！_资讯

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2024-01-30 14:00:06

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2024-01-30 10:42:37 作者：姚立伟

三星正开发新一代V9 QLC闪存技术，其容量和性能实现了突破性飞跃。该技术预计将在今年内正式推出。

据称，V9 QLC闪存的存储密度达到了每平方毫米28.5Gb，相比目前最好的长江存储232层QLC 20.62Gb提高了多达36%。即使是其他QLC方案也无法与之相比：美光232层19.5Gb、SK海力士176层14.4Gb、西数/铠侠162层13.86Gb。

随着容量增加，SSD的容量也相应增大。理论上可以将M.2 SSD做成单面8TB、双面16TB！当然具体容量还要根据市场需求来确定。

在性能方面，三星V9 QLC的最大传输率达到3200MT/s，比目前最好的2400MT/s又高了一个档次，甚至可以满足未来PCIe 6.0方案的需求。但实际表现如何还需要进一步观察。因为QLC方案严重依赖pSLC缓冲技术，所以需要将最多25％的容量作为缓存。

尽管许多人仍对QLC持保留态度，但随着TLC潜力被挖掘殆尽，QLC已经成为绝对主流，并且各家厂商都已经开始转向生产QLC产品。三星也开始将其主要精力投入到QLC上，从2022年开始就致力于生产这款新型闪存芯片。

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