三星电子在硅谷建立3D DRAM研发实验室 大幅提升容量
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2024-01-30 10:18:19
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2024-01-30 02:40:39 作者：姚立伟
三星电子在1993年超过东芝成为全球最大的DRAM制造商，并一直保持着这个优势。他们最近在硅谷设立了一个新的研发实验室，专注于研发下一代3D DRAM产品。该实验室由三星电子设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构主管Song Jae-hyeok领导。三星电子已经在2013年将3D垂直结构NAND闪存芯片商业化，在去年10月份表示计划将新的3D结构用于10nm及以下制程工艺的DRAM，以提高单颗芯片的容量至100G以上。
三星电子一直是存储芯片市场的领先者，他们的成功离不开不断创新和技术开发。这次在硅谷设立研发实验室将会进一步加强他们在3D DRAM领域内的竞争优势。同时，三星电子也发表了一篇包含3D DRAM研究成果的论文，并提供了详细图像，展示了实际半导体实现的3D DRAM技术。
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