金融界2024年1月16日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种环形栅等离子体晶体管及其制作方法”,公开号CN117410160A,申请日期为2023年9月。
专利摘要显示,本发明公开了一种环形栅等离子体晶体管及其制作方法。本发明的环形栅等离子体晶体管,其特征在于,包括源电极层、栅电极层、漏电极层;其中,栅电极层与漏电极层之间设有第一绝缘层,源电极层与栅电极层之间设有第二绝缘层;栅电极层的栅电极上设有若干个通孔,第一绝缘层、第二绝缘层为中空结构,第一绝缘层的中空结构通过通孔与第二绝缘层的中空结构连通,从而在源电极层与漏电极层之间形成一个封闭腔室,且源电极层的源电极、栅电极层的栅电极和漏电极层的漏电极暴露于封闭腔室内;环形栅等离子体晶体管工作时,所述封闭腔室内存在载流子;通孔调控载流子的运动轨迹进而调控环形栅等离子体晶体管的开态电流。本发明具有较强的栅控能力。
来源:金融界