8月3日消息,据科技日报报道,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)近日设计出一种极紫外(EUV)光刻技术。
IC photo
该技术解决了传统光刻中 EUV 射线被吸收、光线偏离等问题。将反射镜数量限为 4 面,降低功耗,超过 10%的能量可穿透到晶圆。
核心投影仪由两个反射镜组成,配置简单,性能经验证能满足先进半导体生产。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一,降低成本,提高机器可靠性和寿命。
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