首条8英寸GaN中试线启动，香港三代半产业“跑步”前进
为共同推动香港微电子产业发展，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司于7月30日举行了香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓外延片中试线”启动礼。
此次麻省光子技术将入驻新建的微电子中心（MEC），建设香港首条8英寸氮化镓外延片中试线。
据中国新闻网等多家媒体报道，麻省光子技术计划在港投资至少2亿港元，于香港科学园设立全港首个第三代半导体氮化镓（GaN）外延工艺全球研发中心，开发8寸先进GaN外延片工艺及设备平台，用于制作氮化镓光电子和功率器件。
此外，麻省光子技术还将在创新园设立全港首条超高真空量产型GaN外延片中试线，进行小批量生产；预计完成中试并启动香港的GaN外延量产产线建设，带动创造超过250个微电子相关的就业职位，包括外延片及设备设计、生产流程发展等，创造实质经济价值。
氮化镓(GaN)是第三代半导体的主要代表材料之一，具有宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强以及卓越的击穿电场等特性，可在高温和高电压下进行长时间运作，被广泛应用于LED、激光器、太阳能电池、无线通讯、快充、工业和汽车等领域。
当前，全球半导体产业发展迅速，带动氮化镓市场规模同步提升。据市场研究机构TrendForce集邦咨询此前预测，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。
近年来，香港将第三代半导体作为重点发展的科技领域。2024年5月，香港立法会财务委员会批准一项重大投资，即28.3亿港元，用于建立“香港微电子研发中心”，专注于第三代半导体。这项计划包括建立一条试验生产线，配备I线光刻设备、光刻胶显影工具、高温离子注入机、高温退火炉和薄膜工具等必要工具。
据香港特区政府创新科技及工业局局长孙东介绍，特区政府正积极推进微电子产业发展。香港微电子研发院将于年内成立，并设立碳化硅和氮化镓两条中试线，协助初创、中小企业进行试产、测试和认证，促进产、学、研在第三代半导体核心技术上的合作。