金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括页缓冲器电路的存储器件“,公开号CN117594099A,申请日期为2023年7月。
专利摘要显示,一种包括页缓冲器电路的存储器件包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个存储单元;以及页缓冲器电路,所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器单元和多个高速缓存锁存器,所述多个页缓冲器单元分别经由多条位线连接到所述多个存储单元,所述多个高速缓存锁存器分别对应于所述多个页缓冲器单元。所述多个页缓冲器单元均包括传输晶体管,所述传输晶体管连接到对应的感测节点并且根据传输控制信号被驱动,并且所述存储器件被配置为使得:在数据感测时段内,所述多个页缓冲器单元当中的选定页缓冲器单元的感测节点有效地连接到所述多个页缓冲器单元当中的未选页缓冲器单元的感测节点。
来源:金融界