金融界2024年2月5日消息,据国家知识产权局公告,清华大学取得一项名为“高纯锗探测器“的专利,授权公告号CN117192595B,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,本发明提供了一种高纯锗探测器,涉及半导体器件技术领域,该高纯锗探测器包括:高纯锗晶体;第一电极,第一电极设置于高纯锗晶体的第一表面;以及第二电极,第二电极设置于高纯锗晶体的第二表面,第一表面和第二表面为高纯锗晶体相对的表面,其中,第一电极包括:锂扩散电极,锂扩散电极设置于高纯锗晶体的第一表面和侧表面的至少一部分;第一非晶层,第一非晶层设置于高纯锗晶体的第一表面和侧表面的至少一部分;以及第一金属电极,第一金属电极设置于第一非晶层远离高纯锗晶体的一侧,其中,第一金属电极的至少一部分与锂扩散电极收集同一种载流子,从而减小了高纯锗探测器的死层厚度,可以制作精密的电极结构。
来源:金融界