金融界2024年1月24日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请了一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利,公开号CN117438428A,申请日期为2023年7月。
专利摘要显示,该半导体装置包括:衬底,其包括单元区、在第一方向上与单元区间隔开的虚设区以及单元区与虚设区之间的边界区;单元区上的有源图案;衬底上的器件隔离层;有源图案上的源极/漏极图案和源极/漏极图案之间的沟道图案;单元栅电极,其在第二方向上与沟道图案交叉;有源接触件,其设置在单元区上以及单元栅电极之间并且耦接至源极/漏极图案;虚设栅电极,其在虚设区上和器件隔离层上;虚设接触件,其在虚设区上和虚设栅电极中的每一个的侧表面上;层间绝缘层,其在虚设栅电极中的每一个的侧表面上;以及坝结构,其在边界区上。
来源:金融界