三星取得半导体器件及其制造方法专利，提高半导体器件的制造效率
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2024-01-18 19:12:36
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金融界2024年1月17日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及其制造方法“，授权公告号CN110364432B，申请日期为2019年3月。
专利摘要显示，本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上依次形成目标层和第一掩模层；将所述第一掩模层图案化以在所述第一掩模层中形成第一开口；在所述第一开口的内壁上形成间隔物；在所述第一掩模层上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有与所述间隔物的至少一部分垂直交叠的第二开口；通过使用所述间隔物作为掩模来去除所述第一掩模层的暴露于所述第二开口的一部分，在所述第一掩模层中形成与所述第一开口相邻的第三开口；以及使用所述第一掩模层和所述间隔物作为掩模来将所述目标层图案化。
来源：金融界
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